Справочник MOSFET. AOTL42A60E

 

AOTL42A60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOTL42A60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 367 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.109 Ohm
   Тип корпуса: TOLL
 

 Аналог (замена) для AOTL42A60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTL42A60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:448K  aosemi
 aotl42a60e.pdf pdf_icon

AOTL42A60E

AOTL42A60ETM600V, a MOS N-Channel Power TransistorGeneral Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 120A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие MOSFET... AOB66920L , AOB66935L , AOB780A70L , AOTL095A60 , AOTL125A60 , AOTL130A60FD , AOTL160A60 , AOTL190A60 , K3569 , AOTL66215 , AOTL66401 , AOTL66515 , AOTL66518 , AOTL66608 , AOTL66610 , AOTL66810 , AOTL66810Q .

History: SI8822 | SFF25P20S2I-02 | LSE65R380GF | AM30N03-40D | AOC3860 | CJ3415 | AP25N170I

 

 
Back to Top

 


 
.