AOTL42A60E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOTL42A60E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 367 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.109 Ohm

Тип корпуса: TOLL

Аналог (замена) для AOTL42A60E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTL42A60E даташит

 ..1. Size:448K  aosemi
 aotl42a60e.pdf pdf_icon

AOTL42A60E

AOTL42A60E TM 600V, a MOS N-Channel Power Transistor General Description Product Summary VDS @ Tj,max 700V Proprietary aMOS5TM technology Low RDS(ON) IDM 120A Optimized switching parameters for better EMI RDS(ON),max

Другие IGBT... AOB66920L, AOB66935L, AOB780A70L, AOTL095A60, AOTL125A60, AOTL130A60FD, AOTL160A60, AOTL190A60, IRF9540, AOTL66215, AOTL66401, AOTL66515, AOTL66518, AOTL66608, AOTL66610, AOTL66810, AOTL66810Q