AOTL66401 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AOTL66401 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOTL66401

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 400 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0007 Ohm

Encapsulados: TOLLA

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

AOTL66401 datasheet

..1. Size:377K aosemi
aotl66401.pdf pdf_icon

AOTL66401 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 400A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

8.1. Size:715K aosemi
aotl66610.pdf pdf_icon

AOTL66610 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 350A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

8.2. Size:379K aosemi
aotl66215.pdf pdf_icon

AOTL66215 TM 120V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 305A Combined of low RDS(ON) and wide Safe Operating Area (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)

8.3. Size:465K aosemi
aotl66608.pdf pdf_icon

AOTL66608 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 400A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)