Справочник MOSFET. AOTL66401

 

AOTL66401 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOTL66401
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 400 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 240 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0007 Ohm
   Тип корпуса: TOLLA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTL66401 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:377K  aosemi
aotl66401.pdfpdf_icon

AOTL66401

AOTL66401TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 400A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:715K  aosemi
aotl66610.pdfpdf_icon

AOTL66401

AOTL66610TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 350A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:379K  aosemi
aotl66215.pdfpdf_icon

AOTL66401

AOTL66215TM120V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 305A Combined of low RDS(ON) and wide Safe Operating Area (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:465K  aosemi
aotl66608.pdfpdf_icon

AOTL66401

AOTL66608TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 400A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: DADMH056N090Z1B | HM3406B

 

 
Back to Top

 


 
.