AOTL66515 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AOTL66515 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOTL66515

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 428 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0039 Ohm

Encapsulados: TOLLA

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

AOTL66515 datasheet

..1. Size:378K aosemi
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AOTL66515 TM 150V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 150V Combined of low RDS(ON) and wide Safe Operating ID (at VGS=10V) 200A Area (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)

6.1. Size:370K aosemi
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AOTL66518 TM 150V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 150V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 214A Combined of low RDS(ON) and wide safe operatiing area (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOTL66610 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 350A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOTL66215 TM 120V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 305A Combined of low RDS(ON) and wide Safe Operating Area (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)