AOTL66515. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOTL66515

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 428 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm

Тип корпуса: TOLLA

Аналог (замена) для AOTL66515

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTL66515 даташит

 ..1. Size:378K  aosemi
aotl66515.pdfpdf_icon

AOTL66515

AOTL66515 TM 150V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 150V Combined of low RDS(ON) and wide Safe Operating ID (at VGS=10V) 200A Area (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:370K  aosemi
aotl66518.pdfpdf_icon

AOTL66515

AOTL66518 TM 150V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 150V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 214A Combined of low RDS(ON) and wide safe operatiing area (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:715K  aosemi
aotl66610.pdfpdf_icon

AOTL66515

AOTL66610 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 350A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:379K  aosemi
aotl66215.pdfpdf_icon

AOTL66515

AOTL66215 TM 120V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 120V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 305A Combined of low RDS(ON) and wide Safe Operating Area (SOA) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие IGBT... AOTL095A60, AOTL125A60, AOTL130A60FD, AOTL160A60, AOTL190A60, AOTL42A60E, AOTL66215, AOTL66401, STP75NF75, AOTL66518, AOTL66608, AOTL66610, AOTL66810, AOTL66810Q, AOTL66811, AOTL66912, AOTL66912Q