AOTL66810Q MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

AOTL66810Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOTL66810Q

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 445 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00125 Ohm

Encapsulados: TOLLA

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

AOTL66810Q datasheet

..1. Size:413K aosemi
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AOTL66810Q TM 80V N-Channel AlphaSGT2 AEC-Q101 Qualified General Description Product Summary VDS 80V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 445A Excellent gate charge x RDS(ON) product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

5.1. Size:369K aosemi
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AOTL66810 TM 80V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 80V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 420A Excellent gate charge x RDS(ON) product (FOM) PB-free lead plating, RoHS compliant RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOTL66811 TM 80V N-Channel AlphaSGT2 General Description Product Summary VDS 80V AlphaSGT2TM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 315A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

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AOTL66610 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 350A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)