AOTL66810Q - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

AOTL66810Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AOTL66810Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 445 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3300 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00125 Ohm

Тип корпуса: TOLLA

Аналог (замена) для AOTL66810Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

AOTL66810Q даташит

..1. Size:413K aosemi
aotl66810q.pdf pdf_icon

AOTL66810Q TM 80V N-Channel AlphaSGT2 AEC-Q101 Qualified General Description Product Summary VDS 80V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 445A Excellent gate charge x RDS(ON) product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

5.1. Size:369K aosemi
aotl66810.pdf pdf_icon

AOTL66810 TM 80V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 80V AlphaSGTTM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 420A Excellent gate charge x RDS(ON) product (FOM) PB-free lead plating, RoHS compliant RDS(ON) (at VGS=10V)

6.1. Size:384K aosemi
aotl66811.pdf pdf_icon

AOTL66811 TM 80V N-Channel AlphaSGT2 General Description Product Summary VDS 80V AlphaSGT2TM N-Channel Power MOSFET ID (at VGS=10V) 315A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)

8.1. Size:715K aosemi
aotl66610.pdf pdf_icon

AOTL66610 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 350A Low RDS(ON) Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=10V)