AOTS26108 Todos los transistores

 

AOTS26108 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AOTS26108
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP-6L
     - Selección de transistores por parámetros

 

AOTS26108 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:535K  aosemi
 aots26108.pdf pdf_icon

AOTS26108

AOTS2610830V/20V Complementary MOSFETGeneral Description Product Summary Trench Power MOSFET technology N-Channel P-Channel Low RDS(ON)VDS= 30V -20V Low Gate Charge ID= 3.8A (VGS=10V) -4.5A (VGS=-4.5V) RoHS and Halogen-Free Compliant RDS(ON) RDS(ON)

 9.1. Size:611K  aosemi
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AOTS26108

AOTS21115C20V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -20V Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -6.6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

 9.2. Size:363K  aosemi
 aots21313c.pdf pdf_icon

AOTS26108

AOTS21313C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -7.3A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.3. Size:375K  aosemi
 aots21311c.pdf pdf_icon

AOTS26108

AOTS21311C30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -5.9A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

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History: STP33N65M2 | STP55N06L

 

 
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