AOTS26108 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOTS26108  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm

Encapsulados: TSOP-6L

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AOTS26108 datasheet

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AOTS26108

AOTS26108 30V/20V Complementary MOSFET General Description Product Summary Trench Power MOSFET technology N-Channel P-Channel Low RDS(ON) VDS= 30V -20V Low Gate Charge ID= 3.8A (VGS=10V) -4.5A (VGS=-4.5V) RoHS and Halogen-Free Compliant RDS(ON) RDS(ON)

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AOTS26108

AOTS21115C 20V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -20V Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -6.6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

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AOTS26108

AOTS21313C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -7.3A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.3. Size:375K  aosemi
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AOTS26108

AOTS21311C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -5.9A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

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