AOTS26108 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AOTS26108  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AOTS26108

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTS26108 даташит

 ..1. Size:535K  aosemi
 aots26108.pdf pdf_icon

AOTS26108

AOTS26108 30V/20V Complementary MOSFET General Description Product Summary Trench Power MOSFET technology N-Channel P-Channel Low RDS(ON) VDS= 30V -20V Low Gate Charge ID= 3.8A (VGS=10V) -4.5A (VGS=-4.5V) RoHS and Halogen-Free Compliant RDS(ON) RDS(ON)

 9.1. Size:611K  aosemi
 aots21115c.pdf pdf_icon

AOTS26108

AOTS21115C 20V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -20V Low RDS(ON) ID (at VGS=-4.5V) -6.6A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-4.5V)

 9.2. Size:363K  aosemi
 aots21313c.pdf pdf_icon

AOTS26108

AOTS21313C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -7.3A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

 9.3. Size:375K  aosemi
 aots21311c.pdf pdf_icon

AOTS26108

AOTS21311C 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology -30V Low RDS(ON) ID (at VGS=-10V) -5.9A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=-10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOTL66912Q, AOTL66914, AOTL66915, AOTL66918, AOTS21115C, AOTS21311C, AOTS21313C, AOTS21319C, IRFB3607, AOTS32334C, AOTS32338C, AOTE21115C, AOTE32136C, AOUS66414, AOUS66416, AOUS66616, AOUS66620