AOTE32136C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOTE32136C 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Encapsulados: TSSOP-8L
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Búsqueda de reemplazo de AOTE32136C MOSFET
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AOTE32136C datasheet
aote32136c.pdf
AOTE32136C 20V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)
Otros transistores... AOTS21115C, AOTS21311C, AOTS21313C, AOTS21319C, AOTS26108, AOTS32334C, AOTS32338C, AOTE21115C, 4435, AOUS66414, AOUS66416, AOUS66616, AOUS66620, AOUS66920, AOUS66923, FXN0603D, FXN0607CN
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: AOUS66416
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46 | MSH60N35D | MSH40N032 | MSH30P100 | MSH100N045SA | MSD60P16 | MSD40P45 | MSB100N023 | MS60P03 | MS40P05AU | MS40P05 | MS40N05 | MS34P07 | MS34P01
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