AOTE32136C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOTE32136C  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TSSOP-8L

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de AOTE32136C MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AOTE32136C datasheet

 ..1. Size:364K  aosemi
aote32136c.pdf pdf_icon

AOTE32136C

AOTE32136C 20V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)

Otros transistores... AOTS21115C, AOTS21311C, AOTS21313C, AOTS21319C, AOTS26108, AOTS32334C, AOTS32338C, AOTE21115C, 4435, AOUS66414, AOUS66416, AOUS66616, AOUS66620, AOUS66920, AOUS66923, FXN0603D, FXN0607CN