AOTE32136C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AOTE32136C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AOTE32136C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTE32136C даташит

 ..1. Size:364K  aosemi
 aote32136c.pdf pdf_icon

AOTE32136C

AOTE32136C 20V N-Channel MOSFET General Description Product Summary VDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)

Другие IGBT... AOTS21115C, AOTS21311C, AOTS21313C, AOTS21319C, AOTS26108, AOTS32334C, AOTS32338C, AOTE21115C, 4435, AOUS66414, AOUS66416, AOUS66616, AOUS66620, AOUS66920, AOUS66923, FXN0603D, FXN0607CN