Справочник MOSFET. AOTE32136C

 

AOTE32136C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AOTE32136C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8L
 

 Аналог (замена) для AOTE32136C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOTE32136C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:364K  aosemi
 aote32136c.pdf pdf_icon

AOTE32136C

AOTE32136C20V N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS Trench Power MOSFET technology 20V Low RDS(ON) ID (at VGS=4.5V) 7A Low Gate Charge RDS(ON) (at VGS=4.5V)

Другие MOSFET... AOTS21115C , AOTS21311C , AOTS21313C , AOTS21319C , AOTS26108 , AOTS32334C , AOTS32338C , AOTE21115C , IRLB4132 , AOUS66414 , AOUS66416 , AOUS66616 , AOUS66620 , AOUS66920 , AOUS66923 , FXN0603D , FXN0607CN .

History: GSM1023 | AONP38324U | PS03P20SA | SIHFI9610G

 

 
Back to Top

 


 
.