AOUS66416 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOUS66416
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 440 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
Paquete / Cubierta: ULTRASO-8L
Búsqueda de reemplazo de AOUS66416 MOSFET
AOUS66416 PDF Specs
aous66416.pdf
AOUS66416 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 69A Low RDS(ON) Excellent QG x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V) ... See More ⇒
aous66616.pdf
AOUS66616 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 92A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V) ... See More ⇒
aous66920.pdf
AOUS66920 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 69A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V) ... See More ⇒
Otros transistores... AOTS21313C , AOTS21319C , AOTS26108 , AOTS32334C , AOTS32338C , AOTE21115C , AOTE32136C , AOUS66414 , AON7506 , AOUS66616 , AOUS66620 , AOUS66920 , AOUS66923 , FXN0603D , FXN0607CN , FXN06S085C , FXN0703D .
History: FDA44N50 | 2SK3832 | HITK0303MP
History: FDA44N50 | 2SK3832 | HITK0303MP
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP40P05 | AP40P04Q | AP40P04K | AP40P04G | AP40N100LK | AP40N100K | AP40N06K | AP4013S | AP4008SD | AP4688S | AP4606 | AP4580 | AP4435C | AP4410 | AP4409S | AP4407C
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