Справочник MOSFET. AOUS66416

 

AOUS66416 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AOUS66416
   Маркировка: 66416
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: ULTRASO-8L

 Аналог (замена) для AOUS66416

 

 

AOUS66416 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:349K  aosemi
 aous66416.pdf

AOUS66416 AOUS66416

AOUS66416TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 69A Low RDS(ON) Excellent QG x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:707K  aosemi
 aous66414.pdf

AOUS66416 AOUS66416

AOUS66414TM40V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 92A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:717K  aosemi
 aous66616.pdf

AOUS66416 AOUS66416

AOUS66616TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 92A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:771K  aosemi
 aous66920.pdf

AOUS66416 AOUS66416

AOUS66920TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 69A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.3. Size:727K  aosemi
 aous66923.pdf

AOUS66416 AOUS66416

AOUS66923TM100V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 58A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.4. Size:758K  aosemi
 aous66620.pdf

AOUS66416 AOUS66416

AOUS66620TM60V N-Channel AlphaSGTGeneral Description Product SummaryVDS60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 46A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top