AOUS66416 - описание и поиск аналогов

 

AOUS66416 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AOUS66416
   Маркировка: 66416
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 31 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 440 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0033 Ohm
   Тип корпуса: ULTRASO-8L
 

 Аналог (замена) для AOUS66416

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOUS66416 технические параметры

 ..1. Size:349K  aosemi
 aous66416.pdf pdf_icon

AOUS66416

AOUS66416 TM 40V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 40V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 69A Low RDS(ON) Excellent QG x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:707K  aosemi
 aous66414.pdf pdf_icon

AOUS66416

 8.1. Size:717K  aosemi
 aous66616.pdf pdf_icon

AOUS66416

AOUS66616 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 92A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:771K  aosemi
 aous66920.pdf pdf_icon

AOUS66416

AOUS66920 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 69A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOTS21313C , AOTS21319C , AOTS26108 , AOTS32334C , AOTS32338C , AOTE21115C , AOTE32136C , AOUS66414 , AON7506 , AOUS66616 , AOUS66620 , AOUS66920 , AOUS66923 , FXN0603D , FXN0607CN , FXN06S085C , FXN0703D .

 

 
Back to Top

 


 
.