AOUS66620 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOUS66620  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 310 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: ULTRASO-8L

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AOUS66620 datasheet

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AOUS66620

AOUS66620 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 46A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:717K  aosemi
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AOUS66620

AOUS66616 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 92A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:707K  aosemi
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AOUS66620

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AOUS66620

AOUS66920 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 69A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

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