AOUS66620 - аналоги и даташиты транзистора

 

AOUS66620 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AOUS66620
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: ULTRASO-8L

 Аналог (замена) для AOUS66620

 

AOUS66620 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:758K  aosemi
 aous66620.pdf pdf_icon

AOUS66620

AOUS66620 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 46A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product(FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 7.1. Size:717K  aosemi
 aous66616.pdf pdf_icon

AOUS66620

AOUS66616 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 92A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:707K  aosemi
 aous66414.pdf pdf_icon

AOUS66620

 8.2. Size:771K  aosemi
 aous66920.pdf pdf_icon

AOUS66620

AOUS66920 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 69A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AOTS26108 , AOTS32334C , AOTS32338C , AOTE21115C , AOTE32136C , AOUS66414 , AOUS66416 , AOUS66616 , IRFP450 , AOUS66920 , AOUS66923 , FXN0603D , FXN0607CN , FXN06S085C , FXN0703D , FXN0704C , FXN0406H .

 

 
Back to Top

 


 
.