AOUS66923 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AOUS66923  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm

Encapsulados: ULTRASO-8L

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de AOUS66923 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

AOUS66923 datasheet

 ..1. Size:727K  aosemi
 aous66923.pdf pdf_icon

AOUS66923

AOUS66923 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 58A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:771K  aosemi
 aous66920.pdf pdf_icon

AOUS66923

AOUS66920 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 69A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:717K  aosemi
 aous66616.pdf pdf_icon

AOUS66923

AOUS66616 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 92A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:707K  aosemi
 aous66414.pdf pdf_icon

AOUS66923

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AOTS32338C, AOTE21115C, AOTE32136C, AOUS66414, AOUS66416, AOUS66616, AOUS66620, AOUS66920, 5N60, FXN0603D, FXN0607CN, FXN06S085C, FXN0703D, FXN0704C, FXN0406H, FXN0503D, FXN0504D