AOUS66923 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AOUS66923
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 73 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 58 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: ULTRASO-8L
Búsqueda de reemplazo de AOUS66923 MOSFET
AOUS66923 datasheet
aous66923.pdf
AOUS66923 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 58A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V) ... See More ⇒
aous66920.pdf
AOUS66920 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 69A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V) ... See More ⇒
aous66616.pdf
AOUS66616 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 92A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V) ... See More ⇒
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Liste
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