AOUS66923 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AOUS66923  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 73 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 58 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: ULTRASO-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AOUS66923

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AOUS66923 даташит

 ..1. Size:727K  aosemi
 aous66923.pdf pdf_icon

AOUS66923

AOUS66923 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 58A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 6.1. Size:771K  aosemi
 aous66920.pdf pdf_icon

AOUS66923

AOUS66920 TM 100V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 100V Trench Power AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 69A Low RDS(ON) Logic Level Driving RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.1. Size:717K  aosemi
 aous66616.pdf pdf_icon

AOUS66923

AOUS66616 TM 60V N-Channel AlphaSGT General Description Product Summary VDS 60V Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM technology ID (at VGS=10V) 92A Low RDS(ON) Excellent Gate Charge x RDS(ON) Product (FOM) RDS(ON) (at VGS=10V)

 8.2. Size:707K  aosemi
 aous66414.pdf pdf_icon

AOUS66923

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AOTS32338C, AOTE21115C, AOTE32136C, AOUS66414, AOUS66416, AOUS66616, AOUS66620, AOUS66920, 5N60, FXN0603D, FXN0607CN, FXN06S085C, FXN0703D, FXN0704C, FXN0406H, FXN0503D, FXN0504D