FXN18N50F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FXN18N50F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 760 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de FXN18N50F MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FXN18N50F datasheet

 ..1. Size:746K  cn fx-semi
 fxn18n50f.pdf pdf_icon

FXN18N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN18N50F Series Rev.A General Description Features The FXN18N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 500V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 18A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in ind

 8.1. Size:388K  cn fx-semi
 fxn18n20c.pdf pdf_icon

FXN18N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN18N20C Series Rev.A General Description Features The FXN18N20C uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 200V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 18A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indust

Otros transistores... FXN0303D, FXN0304C, FXN9N45F, FXN9N50F, FXN9N90F, FXN9N90P, FXN15S50F, FXN18N20C, IRF1405, FXN20N50F, FXN0704F, FXN0706C, FXN0707C, FXN0707CN, FXN4613F, FXN4615F, FXN4620F