FXN18N50F Todos los transistores

 

FXN18N50F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FXN18N50F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 760 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de FXN18N50F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FXN18N50F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:746K  cn fx-semi
 fxn18n50f.pdf pdf_icon

FXN18N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN18N50F Series Rev.AGeneral Description Features The FXN18N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 500V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 18A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in ind

 8.1. Size:388K  cn fx-semi
 fxn18n20c.pdf pdf_icon

FXN18N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN18N20C Series Rev.A General Description Features The FXN18N20C uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 200V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 18A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indust

Otros transistores... FXN0303D , FXN0304C , FXN9N45F , FXN9N50F , FXN9N90F , FXN9N90P , FXN15S50F , FXN18N20C , IRF9640 , FXN20N50F , FXN0704F , FXN0706C , FXN0707C , FXN0707CN , FXN4613F , FXN4615F , FXN4620F .

History: VBMB165R02 | FXN9N50F | CJ1012 | IPN70R1K4P7S | IPW60R190P6 | VBMB1615 | FDFM2P110

 

 
Back to Top

 


 
.