FXN18N50F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FXN18N50F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 760 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FXN18N50F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN18N50F даташит

 ..1. Size:746K  cn fx-semi
 fxn18n50f.pdf pdf_icon

FXN18N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN18N50F Series Rev.A General Description Features The FXN18N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 500V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 18A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in ind

 8.1. Size:388K  cn fx-semi
 fxn18n20c.pdf pdf_icon

FXN18N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN18N20C Series Rev.A General Description Features The FXN18N20C uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 200V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 18A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indust

Другие IGBT... FXN0303D, FXN0304C, FXN9N45F, FXN9N50F, FXN9N90F, FXN9N90P, FXN15S50F, FXN18N20C, IRL3713, FXN20N50F, FXN0704F, FXN0706C, FXN0707C, FXN0707CN, FXN4613F, FXN4615F, FXN4620F