FXN18N50F - описание и поиск аналогов

 

FXN18N50F - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FXN18N50F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 760 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FXN18N50F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN18N50F технические параметры

 ..1. Size:746K  cn fx-semi
 fxn18n50f.pdf pdf_icon

FXN18N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN18N50F Series Rev.A General Description Features The FXN18N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 500V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 18A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in ind

 8.1. Size:388K  cn fx-semi
 fxn18n20c.pdf pdf_icon

FXN18N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN18N20C Series Rev.A General Description Features The FXN18N20C uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 200V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 18A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indust

Другие MOSFET... FXN0303D , FXN0304C , FXN9N45F , FXN9N50F , FXN9N90F , FXN9N90P , FXN15S50F , FXN18N20C , IRF1405 , FXN20N50F , FXN0704F , FXN0706C , FXN0707C , FXN0707CN , FXN4613F , FXN4615F , FXN4620F .

 

 
Back to Top

 


 
.