FXN20N50F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FXN20N50F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 175 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: TO220F

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FXN20N50F datasheet

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FXN20N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN20N50F Series Rev.A General Description Features The FXN20N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 500V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 20A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial a

 9.1. Size:557K  cn fx-semi
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FXN20N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN20S60FSeries Rev.A General Description Features The FXN20S60Fuses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 600V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID =20A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indust

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