FXN20N50F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FXN20N50F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FXN20N50F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN20N50F даташит

 ..1. Size:485K  cn fx-semi
 fxn20n50f.pdf pdf_icon

FXN20N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN20N50F Series Rev.A General Description Features The FXN20N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 500V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 20A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial a

 9.1. Size:557K  cn fx-semi
 fxn20s60f.pdf pdf_icon

FXN20N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN20S60FSeries Rev.A General Description Features The FXN20S60Fuses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 600V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID =20A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indust

Другие IGBT... FXN0304C, FXN9N45F, FXN9N50F, FXN9N90F, FXN9N90P, FXN15S50F, FXN18N20C, FXN18N50F, 7N60, FXN0704F, FXN0706C, FXN0707C, FXN0707CN, FXN4613F, FXN4615F, FXN4620F, FXN4625F