FXN20N50F - описание и поиск аналогов

 

FXN20N50F - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FXN20N50F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FXN20N50F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN20N50F технические параметры

 ..1. Size:485K  cn fx-semi
 fxn20n50f.pdf pdf_icon

FXN20N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN20N50F Series Rev.A General Description Features The FXN20N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 500V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 20A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial a

 9.1. Size:557K  cn fx-semi
 fxn20s60f.pdf pdf_icon

FXN20N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN20S60FSeries Rev.A General Description Features The FXN20S60Fuses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 600V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID =20A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indust

Другие MOSFET... FXN0304C , FXN9N45F , FXN9N50F , FXN9N90F , FXN9N90P , FXN15S50F , FXN18N20C , FXN18N50F , 7N60 , FXN0704F , FXN0706C , FXN0707C , FXN0707CN , FXN4613F , FXN4615F , FXN4620F , FXN4625F .

 

 
Back to Top

 


 
.