FXN20N50F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FXN20N50F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для FXN20N50F
FXN20N50F Datasheet (PDF)
fxn20n50f.pdf

FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN20N50F Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN20N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, whichV = 500VDSprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID = 20A @V = 10VGSperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial a
fxn20s60f.pdf

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN20S60FSeries Rev.AGeneral Description Features The FXN20S60Fuses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 600V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID =20A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indust
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FBM85N80B | FBM85N80P | FBM80N70B | FBM80N70P | N6005D | N6005B | N6005 | IN6005 | ID120N10ZR | I80N06 | I740 | I640 | I630 | I50N06 | I25N10 | I20N50
Popular searches
2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124