FXN7N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FXN7N65F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 25 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
- Selección de transistores por parámetros
FXN7N65F Datasheet (PDF)
fxn7n65f.pdf
FXN7N65F Electrical Characteristics (TJ =25oC) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Static Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS ID = 250A, VGS = 0V 660 - - V Gate Threshold Voltage VGS(th) - 2.0 4.0 VDS = VGS, ID = 250A Drain Cut-Off Current IDSS VDS = 650V, VGS = 0V 1.0 - - A VGS = 30V, VDS = 0V - 0.1 Gate Leakage Current
fxn7n65d.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN7N65D Series Rev.A General Description Features The FXN7N65D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 650V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 7A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industria
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