FXN7N65F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FXN7N65F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.3 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FXN7N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN7N65F даташит

 ..1. Size:362K  cn fx-semi
 fxn7n65f.pdf pdf_icon

FXN7N65F

FXN7N65F Electrical Characteristics (TJ =25oC) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Static Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS ID = 250 A, VGS = 0V 660 - - V Gate Threshold Voltage VGS(th) - 2.0 4.0 VDS = VGS, ID = 250 A Drain Cut-Off Current IDSS VDS = 650V, VGS = 0V 1.0 - - A VGS = 30V, VDS = 0V - 0.1 Gate Leakage Current

 7.1. Size:1187K  cn fx-semi
 fxn7n65d.pdf pdf_icon

FXN7N65F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN7N65D Series Rev.A General Description Features The FXN7N65D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 650V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 7A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industria

Другие IGBT... FXN0704F, FXN0706C, FXN0707C, FXN0707CN, FXN4613F, FXN4615F, FXN4620F, FXN4625F, AO4407, FXN8N60F, FXN8N65D, FXN8N65F, FXN10N06D, FXN10N50F, FXN10N65F, FXN10N80F, FXN5N65D