FXN65S55T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FXN65S55T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 420 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de FXN65S55T MOSFET
FXN65S55T Datasheet (PDF)
fxn65s55t.pdf

FuXin Semiconductor Co., Ltd. Rev.A FXN65S55T Features General Description VDS = 550V The FXN65S55T uses advanced Silicons MOSFET Technology, ID = 65A @VGS = 10V which provides high performance in on-state resistance, fast Very low on-resistance switching performance, and excellent quality. RDS(ON)
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History: 60N06 | JCS640C | IRFZ44NLPBF | FDD3N40 | SIA430DJ | JBE102G
History: 60N06 | JCS640C | IRFZ44NLPBF | FDD3N40 | SIA430DJ | JBE102G



Liste
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