Справочник MOSFET. FXN65S55T

 

FXN65S55T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FXN65S55T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 420 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для FXN65S55T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN65S55T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  cn fx-semi
 fxn65s55t.pdf pdf_icon

FXN65S55T

FuXin Semiconductor Co., Ltd. Rev.A FXN65S55T Features General Description VDS = 550V The FXN65S55T uses advanced Silicons MOSFET Technology, ID = 65A @VGS = 10V which provides high performance in on-state resistance, fast Very low on-resistance switching performance, and excellent quality. RDS(ON)

Другие MOSFET... FXN8N65F , FXN10N06D , FXN10N50F , FXN10N65F , FXN10N80F , FXN5N65D , FXN5N65F , FXN5N65FM , IRF740 , FXN07N10NS , FXN0808C , FXN08S65D , FXN09150C , FXN4607F , FXN4609F , FXN4611F , FXN4628F .

History: HY1906P | IPU60R1K4C6

 

 
Back to Top

 


 
.