FXN65S55T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FXN65S55T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 420 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 550 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FXN65S55T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN65S55T даташит

 ..1. Size:309K  cn fx-semi
 fxn65s55t.pdf pdf_icon

FXN65S55T

FuXin Semiconductor Co., Ltd. Rev.A FXN65S55T Features General Description VDS = 550V The FXN65S55T uses advanced Silicon s MOSFET Technology, ID = 65A @VGS = 10V which provides high performance in on-state resistance, fast Very low on-resistance switching performance, and excellent quality. RDS(ON)

Другие IGBT... FXN8N65F, FXN10N06D, FXN10N50F, FXN10N65F, FXN10N80F, FXN5N65D, FXN5N65F, FXN5N65FM, IRF840, FXN07N10NS, FXN0808C, FXN08S65D, FXN09150C, FXN4607F, FXN4609F, FXN4611F, FXN4628F