FXN09150C Todos los transistores

 

FXN09150C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FXN09150C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 380 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 103 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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FXN09150C datasheet

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FXN09150C

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN09150C Series Rev.A General Description Features The FXN09150C uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 150V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 120A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial appl

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