FXN09150C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FXN09150C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 103 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 78 nC
trⓘ - Время нарастания: 75 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
Тип корпуса: TO220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FXN09150C Datasheet (PDF)
..1. Size:516K cn fx-semi
fxn09150c.pdf
fxn09150c.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN09150C Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN09150C uses advanced Silicon s MOSFET Technology, whichVDS = 150Vprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID = 120A @VGS = 10Vperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial appl
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
