Справочник MOSFET. FXN09150C

 

FXN09150C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FXN09150C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 103 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FXN09150C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN09150C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:516K  cn fx-semi
 fxn09150c.pdf pdf_icon

FXN09150C

FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN09150C Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN09150C uses advanced Silicon s MOSFET Technology, whichVDS = 150Vprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID = 120A @VGS = 10Vperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial appl

Другие MOSFET... FXN10N80F , FXN5N65D , FXN5N65F , FXN5N65FM , FXN65S55T , FXN07N10NS , FXN0808C , FXN08S65D , IRF540N , FXN4607F , FXN4609F , FXN4611F , FXN4628F , FXN11N45F , FXN12N60FS , FXN12N65F , FXN12S65F .

 

 
Back to Top

 


 
.