Справочник MOSFET. FXN09150C

 

FXN09150C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FXN09150C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 380 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 103 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN09150C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:516K  cn fx-semi
 fxn09150c.pdf pdf_icon

FXN09150C

FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN09150C Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN09150C uses advanced Silicon s MOSFET Technology, whichVDS = 150Vprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID = 120A @VGS = 10Vperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial appl

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.