FXN11N45F Todos los transistores

 

FXN11N45F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FXN11N45F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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FXN11N45F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:713K  cn fx-semi
 fxn11n45f.pdf pdf_icon

FXN11N45F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN11N45F Series Rev.A General Description Features The FXN11N45F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 450V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 11A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in in

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History: FQA13N50C | UPA2820T1S | SPP17N80C3 | FQA16N50 | IPP09N03LA | HX5N6 | QM2506W

 

 
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