Справочник MOSFET. FXN11N45F

 

FXN11N45F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FXN11N45F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FXN11N45F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN11N45F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:713K  cn fx-semi
 fxn11n45f.pdf pdf_icon

FXN11N45F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN11N45F Series Rev.A General Description Features The FXN11N45F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 450V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 11A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in in

Другие MOSFET... FXN07N10NS , FXN0808C , FXN08S65D , FXN09150C , FXN4607F , FXN4609F , FXN4611F , FXN4628F , IRF1404 , FXN12N60FS , FXN12N65F , FXN12S65F , FXN32N55T , FXN40N03C , FXN40N03H , FXN40N20C , FXN13N45F .

History: SPB80N06S2-09 | IXTT440N055T2

 

 
Back to Top

 


 
.