FXN11N45F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FXN11N45F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 450 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
Тип корпуса: TO220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FXN11N45F Datasheet (PDF)
..1. Size:713K cn fx-semi
fxn11n45f.pdf
fxn11n45f.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN11N45F Series Rev.A General Description Features The FXN11N45F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 450V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 11A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in in
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
