FXN11N45F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FXN11N45F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для FXN11N45F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN11N45F даташит

 ..1. Size:713K  cn fx-semi
 fxn11n45f.pdf pdf_icon

FXN11N45F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN11N45F Series Rev.A General Description Features The FXN11N45F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 450V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 11A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in in

Другие IGBT... FXN07N10NS, FXN0808C, FXN08S65D, FXN09150C, FXN4607F, FXN4609F, FXN4611F, FXN4628F, IRF1404, FXN12N60FS, FXN12N65F, FXN12S65F, FXN32N55T, FXN40N03C, FXN40N03H, FXN40N20C, FXN13N45F