FXN40N03H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FXN40N03H
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 38 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 260 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
- Selección de transistores por parámetros
FXN40N03H Datasheet (PDF)
fxn40n03h.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN40N03H Series Rev.A General Description Features The FXN40N03H uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 30V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 40A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industr
fxn40n20c.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN40N20C Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN40N20C uses advanced Planar Vdmos Technology, whichVDS = 200Vprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID = 40A @VGS = 10Vperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial applications
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