Справочник MOSFET. FXN40N03H

 

FXN40N03H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FXN40N03H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 260 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для FXN40N03H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN40N03H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:333K  cn fx-semi
 fxn40n03h.pdf pdf_icon

FXN40N03H

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN40N03H Series Rev.A General Description Features The FXN40N03H uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 30V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 40A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industr

 6.1. Size:678K  cn fx-semi
 fxn40n03c.pdf pdf_icon

FXN40N03H

 8.1. Size:797K  cn fx-semi
 fxn40n20c.pdf pdf_icon

FXN40N03H

FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN40N20C Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN40N20C uses advanced Planar Vdmos Technology, whichVDS = 200Vprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID = 40A @VGS = 10Vperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial applications

Другие MOSFET... FXN4611F , FXN4628F , FXN11N45F , FXN12N60FS , FXN12N65F , FXN12S65F , FXN32N55T , FXN40N03C , AON6414A , FXN40N20C , FXN13N45F , FXN13N50C , FXN13N50K , FXN15N06D , FXN30S55C , FXN30S55F , FXN30S60F .

History: IRF6613 | IPD082N10N3G | AM40P10-200P | MMP4407 | CS10N65FA9HD | FTK840F | TSM4513DCS

 

 
Back to Top

 


 
.