FXN40N20C Todos los transistores

 

FXN40N20C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FXN40N20C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 174 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 345 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de FXN40N20C MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FXN40N20C datasheet

 ..1. Size:797K  cn fx-semi
 fxn40n20c.pdf pdf_icon

FXN40N20C

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN40N20C Series Rev.A General Description Features The FXN40N20C uses advanced Planar Vdmos Technology, which VDS = 200V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 40A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial applications

 8.1. Size:678K  cn fx-semi
 fxn40n03c.pdf pdf_icon

FXN40N20C

 8.2. Size:333K  cn fx-semi
 fxn40n03h.pdf pdf_icon

FXN40N20C

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN40N03H Series Rev.A General Description Features The FXN40N03H uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 30V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 40A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industr

Otros transistores... FXN4628F , FXN11N45F , FXN12N60FS , FXN12N65F , FXN12S65F , FXN32N55T , FXN40N03C , FXN40N03H , IRF3710 , FXN13N45F , FXN13N50C , FXN13N50K , FXN15N06D , FXN30S55C , FXN30S55F , FXN30S60F , FXN30S60T .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.