FXN40N20C - описание и поиск аналогов

 

Аналоги FXN40N20C. Основные параметры


   Наименование производителя: FXN40N20C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 174 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для FXN40N20C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN40N20C даташит

 ..1. Size:797K  cn fx-semi
 fxn40n20c.pdf pdf_icon

FXN40N20C

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN40N20C Series Rev.A General Description Features The FXN40N20C uses advanced Planar Vdmos Technology, which VDS = 200V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 40A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial applications

 8.1. Size:678K  cn fx-semi
 fxn40n03c.pdf pdf_icon

FXN40N20C

 8.2. Size:333K  cn fx-semi
 fxn40n03h.pdf pdf_icon

FXN40N20C

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN40N03H Series Rev.A General Description Features The FXN40N03H uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 30V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 40A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industr

Другие MOSFET... FXN4628F , FXN11N45F , FXN12N60FS , FXN12N65F , FXN12S65F , FXN32N55T , FXN40N03C , FXN40N03H , IRF3710 , FXN13N45F , FXN13N50C , FXN13N50K , FXN15N06D , FXN30S55C , FXN30S55F , FXN30S60F , FXN30S60T .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.