FXN40N20C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FXN40N20C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 174 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 345 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FXN40N20C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN40N20C даташит

 ..1. Size:797K  cn fx-semi
 fxn40n20c.pdf pdf_icon

FXN40N20C

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN40N20C Series Rev.A General Description Features The FXN40N20C uses advanced Planar Vdmos Technology, which VDS = 200V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 40A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial applications

 8.1. Size:678K  cn fx-semi
 fxn40n03c.pdf pdf_icon

FXN40N20C

 8.2. Size:333K  cn fx-semi
 fxn40n03h.pdf pdf_icon

FXN40N20C

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN40N03H Series Rev.A General Description Features The FXN40N03H uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 30V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 40A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industr

Другие IGBT... FXN4628F, FXN11N45F, FXN12N60FS, FXN12N65F, FXN12S65F, FXN32N55T, FXN40N03C, FXN40N03H, 8205A, FXN13N45F, FXN13N50C, FXN13N50K, FXN15N06D, FXN30S55C, FXN30S55F, FXN30S60F, FXN30S60T