FXN20S60F Todos los transistores

 

FXN20S60F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FXN20S60F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de FXN20S60F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FXN20S60F datasheet

 ..1. Size:557K  cn fx-semi
 fxn20s60f.pdf pdf_icon

FXN20S60F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN20S60FSeries Rev.A General Description Features The FXN20S60Fuses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 600V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID =20A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indust

 9.1. Size:485K  cn fx-semi
 fxn20n50f.pdf pdf_icon

FXN20S60F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN20N50F Series Rev.A General Description Features The FXN20N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 500V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 20A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial a

Otros transistores... FXN13N45F , FXN13N50C , FXN13N50K , FXN15N06D , FXN30S55C , FXN30S55F , FXN30S60F , FXN30S60T , IRF630 , FXN23S65F , FXN25N50F , FXN25S55GF , FXN28N50F , FXN28N50P , FXN28N50T , FXN28S50F , FXN15N50F .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.