FXN20S60F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FXN20S60F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 78 nC
trⓘ - Время нарастания: 78 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FXN20S60F Datasheet (PDF)
fxn20s60f.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN20S60FSeries Rev.AGeneral Description Features The FXN20S60Fuses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 600V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID =20A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indust
fxn20n50f.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN20N50F Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN20N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, whichV = 500VDSprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID = 20A @V = 10VGSperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial a
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
