FXN23S65F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FXN23S65F  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: TO220F

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FXN23S65F datasheet

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FXN23S65F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN23S65F Series Rev.A General Description Features The FXN23S65F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 650V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID =23A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indu

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