FXN23S65F Todos los transistores

 

FXN23S65F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FXN23S65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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FXN23S65F datasheet

 ..1. Size:680K  cn fx-semi
 fxn23s65f.pdf pdf_icon

FXN23S65F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN23S65F Series Rev.A General Description Features The FXN23S65F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 650V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID =23A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indu

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History: FXN25N50F

 

 

 


 
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