FXN23S65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FXN23S65F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 49 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 42 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
- Selección de transistores por parámetros
FXN23S65F Datasheet (PDF)
..1. Size:680K cn fx-semi
fxn23s65f.pdf
fxn23s65f.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN23S65F Series Rev.AGeneral Description Features The FXN23S65F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 650V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID =23A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indu
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