Справочник MOSFET. FXN23S65F

 

FXN23S65F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FXN23S65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FXN23S65F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN23S65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:680K  cn fx-semi
 fxn23s65f.pdf pdf_icon

FXN23S65F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN23S65F Series Rev.AGeneral Description Features The FXN23S65F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 650V DSprovides high performance in on-state resistance, fast switching ID =23A @V = 10V GSperformance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indu

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IRF520NSPBF

 

 
Back to Top

 


 
.