FXN23S65F - описание и поиск аналогов

 

Аналоги FXN23S65F. Основные параметры


   Наименование производителя: FXN23S65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 49 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FXN23S65F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN23S65F даташит

 ..1. Size:680K  cn fx-semi
 fxn23s65f.pdf pdf_icon

FXN23S65F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN23S65F Series Rev.A General Description Features The FXN23S65F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 650V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID =23A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in indu

Другие MOSFET... FXN13N50C , FXN13N50K , FXN15N06D , FXN30S55C , FXN30S55F , FXN30S60F , FXN30S60T , FXN20S60F , IRF9540 , FXN25N50F , FXN25S55GF , FXN28N50F , FXN28N50P , FXN28N50T , FXN28S50F , FXN15N50F , FXN2N60D .

History: FDD8424H

 

 

 


 
↑ Back to Top
.