FXN25N50F Todos los transistores

 

FXN25N50F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FXN25N50F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1420 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de FXN25N50F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FXN25N50F datasheet

 ..1. Size:573K  cn fx-semi
 fxn25n50f.pdf pdf_icon

FXN25N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN25N50F Series Rev.A General Description Features The FXN25N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 500V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID =25A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial ap

 9.1. Size:337K  cn fx-semi
 fxn25s55gf.pdf pdf_icon

FXN25N50F

1 FuXin Semiconductor Co., Ltd. Electrical Characteristics (TJ =25oC) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Static Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS ID = 250 A, VGS = 0V 550 - - V Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 3.0 4.0 VDS = VGS, ID = 250 A Drain Cut-Off Current IDSS VDS = 550V, VGS = 0V - - 1 A Ga

Otros transistores... FXN13N50K , FXN15N06D , FXN30S55C , FXN30S55F , FXN30S60F , FXN30S60T , FXN20S60F , FXN23S65F , AON7408 , FXN25S55GF , FXN28N50F , FXN28N50P , FXN28N50T , FXN28S50F , FXN15N50F , FXN2N60D , FXN30N50F .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.