FXN25N50F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FXN25N50F  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 98 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm

Encapsulados: TO220F

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de FXN25N50F MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FXN25N50F datasheet

 ..1. Size:573K  cn fx-semi
 fxn25n50f.pdf pdf_icon

FXN25N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN25N50F Series Rev.A General Description Features The FXN25N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which V = 500V DS provides high performance in on-state resistance, fast switching ID =25A @V = 10V GS performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industrial ap

 9.1. Size:337K  cn fx-semi
 fxn25s55gf.pdf pdf_icon

FXN25N50F

1 FuXin Semiconductor Co., Ltd. Electrical Characteristics (TJ =25oC) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Static Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS ID = 250 A, VGS = 0V 550 - - V Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 3.0 4.0 VDS = VGS, ID = 250 A Drain Cut-Off Current IDSS VDS = 550V, VGS = 0V - - 1 A Ga

Otros transistores... FXN13N50K, FXN15N06D, FXN30S55C, FXN30S55F, FXN30S60F, FXN30S60T, FXN20S60F, FXN23S65F, 2N7000, FXN25S55GF, FXN28N50F, FXN28N50P, FXN28N50T, FXN28S50F, FXN15N50F, FXN2N60D, FXN30N50F