Справочник MOSFET. FXN25N50F

 

FXN25N50F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FXN25N50F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 98 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 80 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для FXN25N50F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN25N50F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:573K  cn fx-semi
 fxn25n50f.pdf pdf_icon

FXN25N50F

FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN25N50F Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN25N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, whichV = 500VDSprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID =25A @V = 10VGSperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial ap

 9.1. Size:337K  cn fx-semi
 fxn25s55gf.pdf pdf_icon

FXN25N50F

1 FuXin Semiconductor Co., Ltd. Electrical Characteristics (TJ =25oC) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Static Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS ID = 250A, VGS = 0V 550 - - V Gate Threshold Voltage VGS(th) 2.0 3.0 4.0 VDS = VGS, ID = 250A Drain Cut-Off Current IDSS VDS = 550V, VGS = 0V - - 1 A Ga

Другие MOSFET... FXN13N50K , FXN15N06D , FXN30S55C , FXN30S55F , FXN30S60F , FXN30S60T , FXN20S60F , FXN23S65F , 2N7000 , FXN25S55GF , FXN28N50F , FXN28N50P , FXN28N50T , FXN28S50F , FXN15N50F , FXN2N60D , FXN30N50F .

History: IRF3704Z

 

 
Back to Top

 


 
.