FXN15N50F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FXN15N50F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 60 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 228 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
- Selección de transistores por parámetros
FXN15N50F Datasheet (PDF)
fxn15n50f.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN15N50F Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN15N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, whichV = 500VDSprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID = 15A @V = 10VGSperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial a
fxn15n06d.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN15N06D Series Rev.AGeneral Description Features The FXN15N06D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, whicVDS = 60V h ID = 45A @VGS = 10V provides high performance in on-state resistance, fast switching Very low on-resistance performance, and excellent quality. RDS(ON)
fxn15s50f.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN15S50F Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN15S50F uses advanced Cool MOSFET Technology, whichV = 500VDSprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID = 15A @V = 10VGSperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial application
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