FXN15N50F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FXN15N50F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
trⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 228 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO220F
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FXN15N50F Datasheet (PDF)
fxn15n50f.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN15N50F Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN15N50F uses advanced Silicon s MOSFET Technology, whichV = 500VDSprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID = 15A @V = 10VGSperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial a
fxn15n06d.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN15N06D Series Rev.AGeneral Description Features The FXN15N06D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, whicVDS = 60V h ID = 45A @VGS = 10V provides high performance in on-state resistance, fast switching Very low on-resistance performance, and excellent quality. RDS(ON)
fxn15s50f.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd.FXN15S50F Series Rev.AGeneral Description FeaturesThe FXN15S50F uses advanced Cool MOSFET Technology, whichV = 500VDSprovides high performance in on-state resistance, fast switchingID = 15A @V = 10VGSperformance, and excellent quality.Very low on-resistanceThese devices can also be utilized in industrial application
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
