FXN4N60D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FXN4N60D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: TO252

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FXN4N60D datasheet

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FXN4N60D

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN4N60D Series Rev.A General Description Features The FXN4N60D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 600V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 4A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industria

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FXN4N60D

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN4N65D Series Rev.A General Description Features The FXN4N65D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 650V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 4A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industria

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