FXN4N60D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FXN4N60D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FXN4N60D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN4N60D даташит

 ..1. Size:353K  cn fx-semi
 fxn4n60d.pdf pdf_icon

FXN4N60D

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN4N60D Series Rev.A General Description Features The FXN4N60D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 600V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 4A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industria

 8.1. Size:472K  cn fx-semi
 fxn4n65d.pdf pdf_icon

FXN4N60D

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN4N65D Series Rev.A General Description Features The FXN4N65D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 650V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 4A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industria

Другие IGBT... FXN28N50P, FXN28N50T, FXN28S50F, FXN15N50F, FXN2N60D, FXN30N50F, FXN30N50T, FXN9N40C, IRFP260, FXN4N65D, FXN7N65D, CRJQ99N65G2, LSD07N80A-VB, FXN0204C, FXN0204CQ, FXN100S55T, FXN9N20C