FXN7N65D Todos los transistores

 

FXN7N65D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FXN7N65D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de FXN7N65D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FXN7N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1187K  cn fx-semi
 fxn7n65d.pdf pdf_icon

FXN7N65D

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN7N65D Series Rev.A General Description Features The FXN7N65D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 650V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 7A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industria

 7.1. Size:362K  cn fx-semi
 fxn7n65f.pdf pdf_icon

FXN7N65D

FXN7N65F Electrical Characteristics (TJ =25oC) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Static Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS ID = 250A, VGS = 0V 660 - - V Gate Threshold Voltage VGS(th) - 2.0 4.0 VDS = VGS, ID = 250A Drain Cut-Off Current IDSS VDS = 650V, VGS = 0V 1.0 - - A VGS = 30V, VDS = 0V - 0.1 Gate Leakage Current

Otros transistores... FXN28S50F , FXN15N50F , FXN2N60D , FXN30N50F , FXN30N50T , FXN9N40C , FXN4N60D , FXN4N65D , IRFB3607 , CRJQ99N65G2 , LSD07N80A-VB , FXN0204C , FXN0204CQ , FXN100S55T , FXN9N20C , 630 , 110N04 .

History: FXN4N65D | FXN0204CQ

 

 
Back to Top

 


 
.