FXN7N65D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FXN7N65D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 170 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 108 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: TO252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de FXN7N65D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

FXN7N65D datasheet

 ..1. Size:1187K  cn fx-semi
 fxn7n65d.pdf pdf_icon

FXN7N65D

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN7N65D Series Rev.A General Description Features The FXN7N65D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 650V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 7A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industria

 7.1. Size:362K  cn fx-semi
 fxn7n65f.pdf pdf_icon

FXN7N65D

FXN7N65F Electrical Characteristics (TJ =25oC) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Static Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS ID = 250 A, VGS = 0V 660 - - V Gate Threshold Voltage VGS(th) - 2.0 4.0 VDS = VGS, ID = 250 A Drain Cut-Off Current IDSS VDS = 650V, VGS = 0V 1.0 - - A VGS = 30V, VDS = 0V - 0.1 Gate Leakage Current

Otros transistores... FXN28S50F, FXN15N50F, FXN2N60D, FXN30N50F, FXN30N50T, FXN9N40C, FXN4N60D, FXN4N65D, P55NF06, CRJQ99N65G2, LSD07N80A-VB, FXN0204C, FXN0204CQ, FXN100S55T, FXN9N20C, 630, 110N04