FXN7N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FXN7N65D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
trⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
FXN7N65D Datasheet (PDF)
fxn7n65d.pdf
FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN7N65D Series Rev.A General Description Features The FXN7N65D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 650V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 7A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industria
fxn7n65f.pdf
FXN7N65F Electrical Characteristics (TJ =25oC) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Static Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS ID = 250A, VGS = 0V 660 - - V Gate Threshold Voltage VGS(th) - 2.0 4.0 VDS = VGS, ID = 250A Drain Cut-Off Current IDSS VDS = 650V, VGS = 0V 1.0 - - A VGS = 30V, VDS = 0V - 0.1 Gate Leakage Current
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
