Справочник MOSFET. FXN7N65D

 

FXN7N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FXN7N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 108 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для FXN7N65D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FXN7N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1187K  cn fx-semi
 fxn7n65d.pdf pdf_icon

FXN7N65D

FuXin Semiconductor Co., Ltd. FXN7N65D Series Rev.A General Description Features The FXN7N65D uses advanced Silicon s MOSFET Technology, which VDS = 650V provides high performance in on-state resistance, fast switching ID = 7A @VGS = 10V performance, and excellent quality. Very low on-resistance These devices can also be utilized in industria

 7.1. Size:362K  cn fx-semi
 fxn7n65f.pdf pdf_icon

FXN7N65D

FXN7N65F Electrical Characteristics (TJ =25oC) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Static Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS ID = 250A, VGS = 0V 660 - - V Gate Threshold Voltage VGS(th) - 2.0 4.0 VDS = VGS, ID = 250A Drain Cut-Off Current IDSS VDS = 650V, VGS = 0V 1.0 - - A VGS = 30V, VDS = 0V - 0.1 Gate Leakage Current

Другие MOSFET... FXN28S50F , FXN15N50F , FXN2N60D , FXN30N50F , FXN30N50T , FXN9N40C , FXN4N60D , FXN4N65D , IRFB3607 , CRJQ99N65G2 , LSD07N80A-VB , FXN0204C , FXN0204CQ , FXN100S55T , FXN9N20C , 630 , 110N04 .

History: IRF9Z35

 

 
Back to Top

 


 
.