CRJQ99N65G2 Todos los transistores

 

CRJQ99N65G2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CRJQ99N65G2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 42.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 133 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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CRJQ99N65G2 Datasheet (PDF)

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CRJQ99N65G2

CRJQ99N65G2() SJMOS N-MOSFET 650V, 81m, 35AFeatures Product Summary CRM(CQ) Super_Junction technology Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS 650VRDS(on)_typ Better efficiency due to very low FOM 81mID35AApplications100% DVDS Tested100% DVDS Tested LED/LCD/PDP TV and monitor Lighting100% Avalanche Test

Otros transistores... FXN15N50F , FXN2N60D , FXN30N50F , FXN30N50T , FXN9N40C , FXN4N60D , FXN4N65D , FXN7N65D , AO4407 , LSD07N80A-VB , FXN0204C , FXN0204CQ , FXN100S55T , FXN9N20C , 630 , 110N04 , 13N90 .

History: TMP16N60A | SHDC220301 | IRF3205ZLPBF | IRFP140PBF | IRFZ20PBF | APQ10SN40AF | IRL3103D1S

 

 
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