CRJQ99N65G2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CRJQ99N65G2  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 245 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 42.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 133 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm

Encapsulados: TO247

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CRJQ99N65G2 datasheet

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CRJQ99N65G2

CRJQ99N65G2 ( ) SJMOS N-MOSFET 650V, 81m , 35A Features Product Summary CRM(CQ) Super_Junction technology Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS 650V RDS(on)_typ Better efficiency due to very low FOM 81m ID 35A Applications 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested LED/LCD/PDP TV and monitor Lighting 100% Avalanche Test

Otros transistores... FXN15N50F, FXN2N60D, FXN30N50F, FXN30N50T, FXN9N40C, FXN4N60D, FXN4N65D, FXN7N65D, SPP20N60C3, LSD07N80A-VB, FXN0204C, FXN0204CQ, FXN100S55T, FXN9N20C, 630, 110N04, 13N90