Справочник MOSFET. CRJQ99N65G2

 

CRJQ99N65G2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CRJQ99N65G2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 133 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для CRJQ99N65G2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRJQ99N65G2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:408K  1
 crjq99n65g2.pdf pdf_icon

CRJQ99N65G2

CRJQ99N65G2() SJMOS N-MOSFET 650V, 81m, 35AFeatures Product Summary CRM(CQ) Super_Junction technology Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS 650VRDS(on)_typ Better efficiency due to very low FOM 81mID35AApplications100% DVDS Tested100% DVDS Tested LED/LCD/PDP TV and monitor Lighting100% Avalanche Test

Другие MOSFET... FXN15N50F , FXN2N60D , FXN30N50F , FXN30N50T , FXN9N40C , FXN4N60D , FXN4N65D , FXN7N65D , TK10A60D , LSD07N80A-VB , FXN0204C , FXN0204CQ , FXN100S55T , FXN9N20C , 630 , 110N04 , 13N90 .

History: IRFP440PBF | JCS630FA | IRFZ14PBF | JCS5N60F | IRFZ14S | FMI07N50E

 

 
Back to Top

 


 
.