CRJQ99N65G2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CRJQ99N65G2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 245 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 133 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CRJQ99N65G2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CRJQ99N65G2 даташит

 ..1. Size:408K  1
 crjq99n65g2.pdf pdf_icon

CRJQ99N65G2

CRJQ99N65G2 ( ) SJMOS N-MOSFET 650V, 81m , 35A Features Product Summary CRM(CQ) Super_Junction technology Much lower Ron*A performance for On-state efficiency VDS 650V RDS(on)_typ Better efficiency due to very low FOM 81m ID 35A Applications 100% DVDS Tested 100% DVDS Tested LED/LCD/PDP TV and monitor Lighting 100% Avalanche Test

Другие IGBT... FXN15N50F, FXN2N60D, FXN30N50F, FXN30N50T, FXN9N40C, FXN4N60D, FXN4N65D, FXN7N65D, SPP20N60C3, LSD07N80A-VB, FXN0204C, FXN0204CQ, FXN100S55T, FXN9N20C, 630, 110N04, 13N90