LSD07N80A-VB Todos los transistores

 

LSD07N80A-VB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LSD07N80A-VB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de LSD07N80A-VB MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

LSD07N80A-VB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:407K  1
lsd07n80a-vb.pdf pdf_icon

LSD07N80A-VB

LSD07N80A-VB

Otros transistores... FXN2N60D , FXN30N50F , FXN30N50T , FXN9N40C , FXN4N60D , FXN4N65D , FXN7N65D , CRJQ99N65G2 , RFP50N06 , FXN0204C , FXN0204CQ , FXN100S55T , FXN9N20C , 630 , 110N04 , 13N90 , 14N65 .

History: FY4AEJ-03

 

 
Back to Top

 


 
.