LSD07N80A-VB Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LSD07N80A-VB 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 typ Ohm
Encapsulados: TO220F
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LSD07N80A-VB datasheet
Otros transistores... FXN2N60D, FXN30N50F, FXN30N50T, FXN9N40C, FXN4N60D, FXN4N65D, FXN7N65D, CRJQ99N65G2, AON6380, FXN0204C, FXN0204CQ, FXN100S55T, FXN9N20C, 630, 110N04, 13N90, 14N65
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: D4N70
🌐 : EN ES РУ
Liste
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