LSD07N80A-VB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LSD07N80A-VB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 190 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 800 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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LSD07N80A-VB Datasheet (PDF)
Otros transistores... FXN2N60D , FXN30N50F , FXN30N50T , FXN9N40C , FXN4N60D , FXN4N65D , FXN7N65D , CRJQ99N65G2 , RFP50N06 , FXN0204C , FXN0204CQ , FXN100S55T , FXN9N20C , 630 , 110N04 , 13N90 , 14N65 .
History: FY4AEJ-03
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