LSD07N80A-VB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: LSD07N80A-VB  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 typ Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для LSD07N80A-VB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSD07N80A-VB даташит

 ..1. Size:407K  1
lsd07n80a-vb.pdfpdf_icon

LSD07N80A-VB

LSD07N80A-VB

Другие IGBT... FXN2N60D, FXN30N50F, FXN30N50T, FXN9N40C, FXN4N60D, FXN4N65D, FXN7N65D, CRJQ99N65G2, AON6380, FXN0204C, FXN0204CQ, FXN100S55T, FXN9N20C, 630, 110N04, 13N90, 14N65