FDH45N50F Todos los transistores

 

FDH45N50F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FDH45N50F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 625 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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FDH45N50F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:513K  fairchild semi
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FDH45N50F

November 2013FDH45N50FN-Channel UniFETTM FRFET MOSFET500 V, 45 A, 120 mFeatures DescriptionUniFETTM MOSFET is Fairchild Semiconductors high voltage RDS(on) = 105 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 22.5 AMOSFET family based on planar stripe and DMOS technology. Low Gate Charge (Typ. 105 nC)This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and toprovide better swi

 ..2. Size:211K  inchange semiconductor
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FDH45N50F

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor FDH45N50FFEATURESWith TO-247 packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

Otros transistores... FDMC8296 , FQPF65N06 , FQPF6N80C , FDMS8880 , FQPF6N80T , FDH50N50 , FQPF6N90C , FQPF70N10 , IRF2807 , FQPF7N60 , FDN5632NF085 , FQPF7N65C , FQPF7N80C , FDD16AN08F085 , FQPF7P20 , FQPF85N06 , FQPF8N60C .

History: FDMS8880

 

 
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